图书：《巨峰科技-半导体工艺》

文章：化学杂质去除工艺流程

编号：JFKJ-21-171

作者：巨峰科技

基板准备？

？去除化学杂质和颗粒，加热解吸水分，并与增粘剂一起处理。用作防腐涂层的基材。以下部分中描述的措施对于所有光刻工艺并不是绝对必要的。 ?每个步骤都应考虑到每个单独的过程，并在必要时进行调整。

?清洁基材？

?吸附水分。对于干净的基材，建议大约为。在120°C下解吸几分钟，以解吸通常吸附在与空气湿度接触的表面上的水分子。 ? 原则上可以跳过此步骤，如果基板在另一个工艺步骤中加热到 100°C 以上之前已经用异丙醇或异丙醇清洗过。为了最大限度地提高对氧化表面（天然或热氧化硅、石英、玻璃、大多数金属）的附着力，烘烤温度可以提高到 140°C 以上。 ?在此过程中，氧化表面暴露于空气湿度一段时间后，通常会出现氢氧键，然后出现断裂和疏水，进一步增加了抗蚀剂的润湿性和附着力。根据基材的相对湿度和用量，经过短暂的处理后，水膜可以再次吸附在基材表面。 ?因此，后续的防腐涂层应在烘烤后尽快进行，而不能在基材冷却至室温之前进行。

有机杂质？轻微

食人鱼蚀刻和RCA轻微清洁

助粘剂？轻微

抗粘连 特殊问题轻微

抗粘力和接触角测量